個(gè)人簡(jiǎn)介
主要從事計(jì)算材料化學(xué)方面的工作，擅長(zhǎng)第一性原理計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)、機(jī)器學(xué)習(xí)及相場(chǎng)理論等多尺度模擬方法。發(fā)表SCI論文30余篇，其中以通訊/第一/共一作者身份在Nature （2篇）、Nat. Commun.、 Chem. Rev.（封面文章）、Adv. Funct. Mater.等雜志發(fā)表論文17篇，包含ESI高被引論文2篇；以合作者身份在Science、J. Am. Chem. Soc.及Adv. Mater.等雜志發(fā)表論文多篇。獲批國(guó)家級(jí)青年人才項(xiàng)目，主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、北京理工大學(xué)特立青年項(xiàng)目及JKW重要項(xiàng)目子課題等。
研究領(lǐng)域和方向
1. 低維納米材料的合成及形貌調(diào)控機(jī)理
2. 半導(dǎo)體材料的組分-結(jié)構(gòu)-性能構(gòu)效關(guān)系
3. 機(jī)器學(xué)習(xí)
教育背景
2017.03-2021.02 韓國(guó)國(guó)立蔚山科學(xué)技術(shù)院(UNIST)，材料科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)，工學(xué)博士
2013.09-2016.06 山東大學(xué)，材料工程專(zhuān)業(yè)，工學(xué)碩士
2009.09-2013.07 昆明理工大學(xué)，材料科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)，工學(xué)學(xué)士
工作履歷
2022.09-至今 北京理工大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院，教授
2021.03-2022.08 韓國(guó)基礎(chǔ)科學(xué)研究院，多維碳材料中心，博士后
2016.10-2017.02 韓國(guó)基礎(chǔ)科學(xué)研究院，多維碳材料中心，研究員
研究成果
發(fā)表文章情況：.
1. K. Ma#, L. Zhang#, S. Jin, Y. Wang, S. Yoon. H. Hwang, J. Oh, D. Jeong, M. Wang, S. Chatterjee, G. Kim, A. Jang, J. Yang, S. Ryu, H. Jeong, R. Ruoff*, M. Chhowalla*, F. Ding*, and H. Shin*. Epitaxial Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Multi-Layers on Ni (111). Nature 2022, 606, 88-93. （高被引文章）
2. L. Wang#, X. Xu#, L. Zhang#, R. Qiao#, M. Wu, Z. Wang, S. Zhang, J. Liang, Z. Zhang, Z. Zhang, W. Chen, X. Xie, J. Zong, Y. Shan, Y. Guo, M. Willinger, H. Wu, Q. Li, W. Wang, P. Gao, S. Wu, Y. Zhang, Y. Jiang, D. Yu, E. Wang, X. Bai*, Z.-J. Wang*, F. Ding*, K. Liu*. Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonal boron nitride monolayer on copper. Nature 2019, 570, 91-95.（高被引文章）
3. L. Zhang#, J. Dong#, F. Ding*. Strategies, Status and Challenges in Wafer Scale Single Crystalline Two-dimensional Materials Synthesis. Chem. Rev. 2021, 121, 6321–6372. (封面文章)
4. L. Zhang, J. Dong, F. Ding*, Substrate Screening for the Epitaxial Growth of a Single-Crystal Graphene Wafer, J. Phys. Chem. Lett. 2024, 15: 758-765
5. X. Wang#, A. Chen#, X. Wu, J. Zhang *, J. Dong *, L. Zhang *. Synthesis and Modulation of Low-Dimensional Transition Metal Chalcogenide Materials via Atomic Substitution. Nanomicro Lett. 2024,16,163.
6. L. Zhang, X. Kong, J. Dong, F. Ding*, A mechanism for thickness-controllable single crystalline 2D materials growth, Sci. Bull. 2023, 68: 2936-2944.
7. X. Li#, G. Wu#, L. Zhang#, D. Huang, Y. Li, R. Zhang, M. Li, L. Zhu, J. Guo, T. Huang, J. Shen, X. Wei, K. Yu, J. Dong, M. Altman, R. Ruoff, Y. Duan, J.Yu, Z. Wang, X. Huang*, F. Ding*, H. Shi*, W. Tang. Single-Crystal Two-Dimensional Material Epitaxy on Tailored Non-Single-Crystal Substrates. Nat. Commun. 2022, 13, 1773.
8. H. Sun, # F. Liu#, L. Zhang#, K. Ko#, B. McLean, H. An, S. Kim, M. Huang, M. Willinger, R. Ruoff, J. Suh*, Z. Wang*, F. Ding*. Bottom-up Growth of Graphene Nanospears and Nanoribbons. Adv. Funct. Mater. 2022,2206961.
9. L. Zhang, P. Peng, F. Ding*. Epitaxial Growth of Two-dimensional Materials on High-Index Substrate Surfaces. Adv. Funct. Mater. 2021,31, 2100503.
10. S. Jin, M. Huang, Y. Kwon, L. Zhang, B. Li, S. Oh, J. Dong, D. Luo, M. Biswal, B. V. Cunning, P. V. Bakharev, I. Moon, W. J. Yoo, D. C. Camacho-Mojica, Y.-J. Kim, S. H. Lee, B. Wang, W. K. Seong, M. Saxena, F. Ding, H.-J. Shin*, R. S. Ruoff*. Colossal grain growth yields single-crystal metal foils by contact-free annealing. Science 2018, 362, 1021-1025.